HG65C1R200N采用DFN8*8封裝、650V、200mΩ氮化鎵FET。它是一款常關(guān)器件，將最新的高壓氮化鎵 HEMT與低壓硅 MOSFET相結(jié)合，提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F經(jīng)JEDEC認(rèn)證，先進(jìn)的動(dòng)態(tài)RDSon測(cè)試，具有寬柵極安全裕度、低反向恢復(fù)的特性。符合RoHS、REACH、無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn)。提高硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路的效率（增加功率密度、減小系統(tǒng)尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本較低）,也兼容傳統(tǒng)Si驅(qū)動(dòng)器。
D-Mode氮化鎵二維電子氣濃度高，方阻低，共源共柵閾值電壓為3V， VGS耐壓在±20V，之間，動(dòng)態(tài)電阻小于1.1，驅(qū)動(dòng)更簡(jiǎn)單