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HDS065J016H3

碳化硅

HDS065J016H3

HDS065J016H3基本參數(shù)

型號 最大反向峰值電壓 IF(135℃)允許最大正向平均電流 IF(155℃)允許最大正向平均電流 電荷量 封裝 PDF下載
HDS065J016H3 650V 21A Industry 44nC TO-247-2L HDS065J016H3PDF文件

HDS065J016H3應用范圍

直流充電樁光伏發(fā)電儲能新能源汽車UPS電源數(shù)據(jù)中心

其他介紹

相對于第一代(硅基)半導體,第三代半導體禁帶寬度大,電導率高、熱導率高。第三代半導體的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍,具有更強的耐高壓、高功率能力。

碳化硅器件在具體應用場景中表現(xiàn)出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱,使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱,可承受600°C以上高溫環(huán)境。

碳化硅功率器件在高功率高壓領(lǐng)域有廣泛的潛在應用,目前在600-1700V的光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應用。


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樣品申請

在接收到您的樣品申請后,我們將在24小時內(nèi)聯(lián)系您。如信息真實可信并符合樣品政策,將在審核通過后的48小時內(nèi)發(fā)貨,并同步將快遞信息通過所留電話或郵箱反饋給您。如果遇到無貨或其他特殊情況,我們也會及時通知到您。
您收到樣品后,請盡早在應用項目中進行測試,并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。

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